シリコンカーバイド・パワーMOS-FET(画像の4個素子) 1200V, 10A, 85W

材料は一般的なシリコンではなくシリコンカーバイド(炭化ケイ素)を使っています
高耐圧、高耐熱、超高速という特徴があります

左の素子は今までテストで使用していたシリコンMOS-FETです

STC2450_600px

この素子を使ってテストしてみます、音質の変化もチェックします

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