LM3886_IVC(4)

基板の回路図

LM3886IVC_circuit_web

バランス入力になっていますのでいろいろと応用可能になっています

シングル入力、バランス入力、非反転アンプ、反転アンプ、パワーIVC等可能です

コメント:
LM3886の仕様には無い使い方もあるので問題もでてきます、LM3886はゲイン10倍以上でないと安定動作しません、これが原因で、バランス入力、反転アンプ、パワーIVCで使用する場合は入力がオープンになったとき不安定になります、入力がオープンになるとゲインが1倍になってしまうからです、この問題を解決する必要があります。

完全対称型パワーIVC 試作基板(3)

 

海外メーカー製のSiC(シリコンカーバイド) パワーMOS-FET

 

 

規格:

ドレイン-ソース間電圧: 1200V

ドレイン電流: 24A

ドレイン電流(パルス): 49A

許容損失: 152W

Ciss: 928pF

Coss: 63pF

Crss: 7.45pF

Td(on): 7ns

Tr: 14ns

Td(off): 46ns

Tf: 37ns

 

Vds 対 Id 特性

 

** ロームの「SCH2080KE」はまだ高価なので試作でこれを使ってみる予定です、価格は1/5以下

** SCH2080KEより高いバイアス電圧が必要なようです、つまり、使いにくい、電源利用効率は悪くなります

** 高速性はSCH2080KEより速いか?(測定条件が違うので直接比較はできない)、SiCの音は楽しめそうです