1素子パワーアンプ (12)

製品版の基板です(ほんの少し改良を加えて製造中です)
音質も満足のいくものです、音を聴いているだけで楽しくて笑みが出てきます

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音は情報の欠落がまったく無くストレートに出てきます、音場もスピーカの外側まで広がります、引っ込む事もなく前にでてきます、パルス的な音もなんの抵抗もなく体に突き刺さる感じででてきます。

好きな音楽を聴きながら一人で感動しています、たのしいーー!。

1素子パワーアンプ (10)

シリコンカーバイド・パワーMOS-FET(画像の4個素子) 1200V, 10A, 85W

材料は一般的なシリコンではなくシリコンカーバイド(炭化ケイ素)を使っています
高耐圧、高耐熱、超高速という特徴があります

左の素子は今までテストで使用していたシリコンMOS-FETです

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この素子を使ってテストしてみます、音質の変化もチェックします

1素子パワーアンプ (9)

電源を含めた総合テストです

DC電源は約±6V、ケミコンは10000uFx4=40000uF、A級アンプのためアイドリング電流が大きくなります、電源のリップル電圧も大きくなるのでケミコンは大き目の方がよいでしょう、80000uFでのテストもしてみる予定です、トランス容量は50VA、出力電圧は「電源電圧-0.3V」まで可能です。

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右下の基板はAC100V電源をオンオフするリレーとヒューズがついています、小さな電流容量のスイッチでオンオフできます。

1素子パワーアンプ (8)

■基板の動作テスト

アイドリング電流は0~1.6Aまで可変、設定値にピタリと張り付いて安定しています
出力オフセット電圧は±50mVの範囲で微調整できます、これも0V付近からほとんど変動しません

設計通りの動作をしています

面倒な熱結合等の処理は不要です、基板に部品を間違いなく確実に取り付ければそれで安定動作します

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音声信号が通る半導体はパワーFET1個のみです、他は安定動作のための補助回路です、補助回路は直流領域で動作しています