海外メーカー製のSiC（シリコンカーバイド） パワーMOS-FET
規格：
ドレイン－ソース間電圧： １２００Ｖ
ドレイン電流： ２４Ａ
ドレイン電流（パルス）： ４９Ａ
許容損失： １５２Ｗ
Ｃｉｓｓ： ９２８ｐＦ
Ｃｏｓｓ： ６３ｐＦ
Ｃｒｓｓ： ７．４５ｐＦ
Ｔｄ（ｏｎ）： ７ｎｓ
Ｔｒ： １４ｎｓ
Ｔｄ（ｏｆｆ）： ４６ｎｓ
Ｔｆ： ３７ｎｓ
Ｖｄｓ 対 Ｉｄ 特性
＊＊ ロームの「SCH2080KE」はまだ高価なので試作でこれを使ってみる予定です、価格は１／５以下
＊＊ SCH2080KEより高いバイアス電圧が必要なようです、つまり、使いにくい、電源利用効率は悪くなります
＊＊ 高速性はSCH2080KEより速いか？（測定条件が違うので直接比較はできない）、SiCの音は楽しめそうです