海外メーカー製のSiC(シリコンカーバイド) パワーMOS-FET
規格:
ドレイン-ソース間電圧: 1200V
ドレイン電流: 24A
ドレイン電流(パルス): 49A
許容損失: 152W
Ciss: 928pF
Coss: 63pF
Crss: 7.45pF
Td(on): 7ns
Tr: 14ns
Td(off): 46ns
Tf: 37ns
Vds 対 Id 特性
** ロームの「SCH2080KE」はまだ高価なので試作でこれを使ってみる予定です、価格は1/5以下
** SCH2080KEより高いバイアス電圧が必要なようです、つまり、使いにくい、電源利用効率は悪くなります
** 高速性はSCH2080KEより速いか?(測定条件が違うので直接比較はできない)、SiCの音は楽しめそうです