海外メーカー製のSiC(シリコンカーバイド) パワーMOS-FET

 

 

規格:

ドレイン-ソース間電圧: 1200V

ドレイン電流: 24A

ドレイン電流(パルス): 49A

許容損失: 152W

Ciss: 928pF

Coss: 63pF

Crss: 7.45pF

Td(on): 7ns

Tr: 14ns

Td(off): 46ns

Tf: 37ns

 

Vds 対 Id 特性

 

** ロームの「SCH2080KE」はまだ高価なので試作でこれを使ってみる予定です、価格は1/5以下

** SCH2080KEより高いバイアス電圧が必要なようです、つまり、使いにくい、電源利用効率は悪くなります

** 高速性はSCH2080KEより速いか?(測定条件が違うので直接比較はできない)、SiCの音は楽しめそうです

 

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